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828半導體物理

一、考試基本內容

1、晶體結構(熟悉常見三種半導體的晶體結構和特點)和半導體的結合性質，理解帶隙、導帶、價帶的概念，掌握倒格子和布里淵區的概念，熟悉常見半導體能帶結構的特點。

2、半導體中電子狀態：掌握電子、空穴有效質量的概念、意義，了解回旋共振測量半導體電子有效質量的原理。了解半導體中的雜質、缺陷種類和特點。重摻雜效應、雜質結合能、雜質種類。

3、熱平衡狀態下的載流子統計分布：幾種常見分布函數、態密度的概念，費米能級的概念，熱平衡狀態下本征半導體和雜質半導體的載流子濃度，簡并半導體。

4、半導體的導電性：載流子漂移運動、遷移率的概念、半導體中主要的散射機構。半導體的電導率與溫度、雜質濃度的變化關系，強電場效應、熱載流子、能谷間散射、負阻效應及典型器件應用。

5、平衡載流子：非平衡載流子的注入與復合、載流子壽命、準費米能級、擴散運動、愛因斯坦關系，復合理論、陷阱效應，連續性方程。

6、Pn結的能帶、金屬與半導體接觸界面附件的能帶圖、異質結構的能帶;整流理論，歐姆接觸、異質結構的種類及特點(與同質結相比)。了解半導體中常見的熱、壓阻、光、磁等效應。

二、試題結構

1、考試方式為閉卷筆試。考試時間為3小時。滿分150分。

2、試題結構：選擇體30分左右;名詞解釋40分;簡述題30分左右;計算題及推導證明50分左右。