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熊兵 博士，副教授

通訊地址：北京市海淀區(qū)清華大學(xué)電子工程系 100084
辦公室位置：清華大學(xué)羅姆樓4-309房間
電話：+86-10-6279-8576-11;
傳真：+86-10-6279-8576-15
電子郵箱：bxiong@mail.tsinghua.edu.cn

教育背景1993年9月-1998年7月，清華大學(xué)電子工程系物理電子與光電子技術(shù)專業(yè)本科；獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位；
1998年7月-2001年12月，清華大學(xué)電子工程系電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)碩士研究生；研究半導(dǎo)體電吸收調(diào)制器啁啾特性及其光傳輸特性影響，獲工學(xué)碩士學(xué)位；
2001年12月-2005年1月，清華大學(xué)電子工程系電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)博士研究生；研究面向光通信應(yīng)用的40 Gb/s高速電吸收調(diào)制器及其與半導(dǎo)體激光器或放大器的單片集成技術(shù)，獲工學(xué)博士學(xué)位。

工作履歷2009年12月至今：
清華大學(xué)電子工程系 副教授
講授固體物理（2010-至今），現(xiàn)代分析技術(shù)（2015-）

2005年3月至2009年12月：
清華大學(xué)電子工程系 講師
講授固體物理（2007-2009）
講授現(xiàn)代分析技術(shù)（2006-2007）

學(xué)術(shù)兼職2008年起，任北京真空學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)
2009年，任The 15th Asia-Pacific Conference on Communications (APCC2009)（第15屆亞太通訊大會(huì)）的Technical Program Committee（技術(shù)程序委員會(huì)）委員
2010年，任”International Nano-Optoelectronics Workshop 2010”（國(guó)際納米光電子學(xué)論壇2010）的” LOCAL ORGANIZING COMMITTEE”（本地組織委員會(huì)）委員
2013年4月至11月  Asia Communications and Photonics Conference /International Conference on Information Photonics and Optical Communications (ACP/IPOC 2013) 程序委員會(huì)委員

研究領(lǐng)域高速半導(dǎo)體激光器
高速光調(diào)制器
高速、高功率光探測(cè)器

研究概況在博士研究生階段初期，就作為主要成員參加了863課題“10 Gb/s DFB-LD/EAM集成器件的研制”工作，并作出實(shí)質(zhì)性貢獻(xiàn)。此后，作為核心骨干參加了“973”計(jì)劃課題“DWDM高速集成光源中增益的周期性調(diào)制與控制”和“863”計(jì)劃課題“DFB-LD/EAM集成光源芯片及模塊”。

2005年3月留校參加工作以來(lái)，本人的主要研究興趣集中于通信用半導(dǎo)體光電子芯片，包括材料設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)與真空薄膜工藝技術(shù)研究，研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體激光器、光調(diào)制器、高功率光探測(cè)器及其光子集成。作為負(fù)責(zé)人或第二負(fù)責(zé)人先后承擔(dān)973課題“高速寬帶集成光源中微波與光波相互作用機(jī)理研究”、重點(diǎn)基金子課題“高速、高線性EA調(diào)制器集成光源的研究”、國(guó)家專項(xiàng)2項(xiàng)（“高飽和光功率探測(cè)器”），作為核心骨干承擔(dān)自然科學(xué)重點(diǎn)基金1項(xiàng)、國(guó)家專項(xiàng)課題1項(xiàng)，獲得的主要成果包括10 Gb/s DFB-LD/EAM集成光源、帶寬均超過(guò)40 GHz的DFB-LD/EAM、SOA/EAM集成光源器件、高功率光探測(cè)器、超靈敏質(zhì)譜檢漏技術(shù)等，已發(fā)表各類學(xué)術(shù)論文70余篇，其中SCI收錄35篇。

獎(jiǎng)勵(lì)與榮譽(yù)2012年國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)（排名3）、
2011年中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子信息科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)（排名3）

學(xué)術(shù)成果SCI論文：
[1] Jin Li, Bing Xiong, Changzheng Sun, Di Miao, and Yi Luo, "Analysis of frequency response of high power MUTC photodiodes based on photocurrent-dependent equivalent circuit model," Opt. Express 23, 21615-21623 (2015)
[2] Li Jin, Xiong Bing, Sun Chang-Zheng, Luo Yi, Wang Jian, Hao Zhi-Biao, Han Yan-Jun, Wang Lai, Li Hong-Tao, “Bandwidth improvement of high power uni-traveling-carrier photodiodes by reducing the series resistance and capacitance”, Chinese Physics B, 24, 078503, 2015
[3] Dong Liu, Changzheng Sun, Bing Xiong, Yi Luo, “Nonlinear dynamics in integrated coupled DFB lasers with ultra-short delay”,  Optics express, 22, 5, 5614-5622, 2014
[4] X Zhao, B Xiong, C Sun, Y Luo, “Low drive voltage optical phase modulator with novel InGaAlAs/InAlAs multiple-quantum-barrier based nin heterostructure”, Optics express 21 (21), 24894-24903, 2013
[5] T Shi, B Xiong, C Sun, Y Luo, “Back-to-back UTC-PDs with high responsivity, high saturation current and wide bandwidth”, IEEE Photonics Technology Letters, 25 (2), 136-139, 2013
[6] Dong Liu, Changzheng Sun, Bing Xiong, Yi Luo, “Suppression of chaos in integrated twin DFB lasers for millimeter-wave generation”, Optics express, 21(2), 2444-2451, 2013
[7] Yue Ai-Wen, Wang Ren-Fan, Xiong Bing, Shi Jing, “Fabrication of a 10 Gb/s InGaAs/InP Avalanche Photodiode with an AlGaInAs/InP Distributed Bragg Reflector”, Chinese Physics Letters, 30, 038501, 2013
[8] T Shi, B Xiong, C Sun, Y Luo, “Study on the saturation characteristics of high-speed uni-traveling-carrier photodiodes based on field screening analysis”, Chinese Optics Letters 9 (8), 082302-082302, 2011
[9] 袁賀，孫長(zhǎng)征，徐建明，武慶，熊兵，羅毅, “基于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的光電子器件多層抗反膜的設(shè)計(jì)和制作”，物理學(xué)報(bào)，第59卷、7239-7244頁(yè)，2010
[10] J Huang, C Sun, B Xiong, Y Luo， “Y-branch integrated dual wavelength laser diode for microwave generation by sideband injection locking”， 17 (23), 20727-20734，2009
[11] B. Xiong, J. Xu, C. Sun, J. Wang, Y. Luo, “High Speed Electro-Absorption Modulators for Digital and Analog Optical Fiber Communications,” CHINA COMMUNICATIONS, vol.6, no.3, pp. 110-114, 2009.(in English)
[12] C Sun, B Xiong, J Wang, P Cai, J Xu, Q Zhou, Y Luo, “Influence of residual facet reflection on the eye-diagram performance of high-speed electroabsorption modulated lasers”, Journal of Lightwave Technology, 27 (15), 2970-2976, 2009.
[13] C. Z. Sun, B. Xiong, J. Wang, P. F. Cai, J. M. Xu, J. Huang, H. Yuan, Q. W. Zhou, and Y. Luo, "Fabrication and packaging of 40-Gb/s AlGaInAs multiple-quantum-well electroabsorption modulated lasers based on identical epitaxial layer scheme," Journal of Lightwave Technology, vol. 26, pp. 1464-1471, 2008.
[14] B. Xiong, C. Sun, and Y. LUO, "Optimization of Multiple Quantum Well Electroabsorption Modulators Based on Transmission Performance Simulation," Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers, Brief Communications, Review Papers, vol. 46, no. 6A, pp. 3420-3423, 2007.
[15] Y. Luo, B. Xiong, J. Wang, P. F. Cai, and C. Z. Sun, "40GHz AlGaInAs multiple-quantum-well integrated electroabsorption modulator/distributed feedback laser based on identical epitaxial layer scheme," Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, vol. 45, pp. L1071-L1073, 2006.
[16] J. Wang, B. Xiong, P. F. Cai, J. B. Tian, C. Z. Sun, and Y. Luo, "Novel planar electrode structure for high-speed (> 40 GHz) electroabsorption modulators," Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, vol. 45, no. 42-45, pp. L1209-L1211, 2006.
[17] B. Xiong, J. B. Tian, J. Wang, P. F. Cai, C. Z. Sun, and Y. Luo, "High-speed coplanar waveguide based submount for 40 Gbit/s electroabsorption modulator," International Journal of Infrared and Millimeter Waves, vol. 26, no. 10, pp. 1491-1500, 2005.
[18] B. Xiong, J. Wang, P. F. Cai, J. B. Tian, C. Z. Sun, and Y. Luo, "Novel low-cost wideband Si-based submount for 40 Gb/s optoelectronic devices," Microwave And Optical Technology Letters, vol. 45, no. 1, pp. 90-93, 2005.
[19] B. Xiong, J. Wang, L. J. Zhang, J. B. Tian, C. Z. Sun, and Y. Luo, "High-speed (> 40 GHz) integrated electroabsorption modulator based on identical epitaxial layer approach," IEEE Photonics Technology Letters, vol. 17, no. 2, pp. 327-329, 2005.