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鄭有炓，半導體材料與器件物理專家。1935年10月1日生于福建大田，1957年畢業于南京大學物理系，現任南京大學電子科學與工程學院教授，2003年當選為中國科學院院士。長期從事半導體異質結構材料與器件物理研究，近年主要致力于寬禁帶半導體光電子材料與器件研究。

首次觀測到AlGaN/GaN異質結構二維電子氣舒勃尼科夫-德哈斯效應（SdH）雙周期振蕩,揭示量子阱雙子帶占據和子能帶間電子散射及高溫下高階子帶電子輸運散射機制；揭示壓電極化和摻雜對二維電子氣濃度和空間分布的影響規律；創新發展了基于極化誘導的AlGaN/GaN增強型MIS場效應器件、硅基AlGaN/GaN/AlGaNMSM紫外探測器和藍寶石基光導型紫外探測器；提出壓電調控的金屬/鐵電體/氮化物半導體的新型復合異質結構，開辟發展GaN-MFS器件新途徑；創新發展了鍺硅異質結構外延和高選擇性GeSi/Si化學腐蝕技術；發現應變鍺硅合金有序化新結構，提出有序結構新模型;創新發展了具有極高光電響應度的能隙階梯緩變結構鍺硅紅外探測器；提出基于鍺硅技術制備SiO2/Si量子限制的硅量子線及自限制氧化制備超精細硅量子線新方法；在II-VI/III-V族半導體復合結構研究上，首次觀測到CdTe/InSb復合結構界面存在高遷移率二維電子氣及二維電子氣占據子帶規律。研究成果獲得國家自然科學獎二等獎1項、國家技術發明獎三等獎1項、江蘇省科技進步獎一等獎1項、江蘇省人才培養教學成果一等獎1項、教育部自然科學一等獎和技術發明一等獎各一項。還先后獲得省部級科技進步獎8項以及國防科工委光華科技基金獎一等獎、國家863計劃先進工作者一等獎。