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胡冬青，女，副研究員，1988年蘭州大學理論物理專業畢業，2002年蘭州大學凝聚態物理專業碩士畢業，2005年蘭州大學微電子學與固體電子學專業博士畢業。1988年本科畢業后在蘭州鐵道學院（現蘭州交通大學）從事大學物理教學與實驗工作。1999—2005年在蘭州大學從事功率半導體器件——靜電感應器件（SIT、BSIT、SITH、SIPT）的研究，2005年到現在，在北京工業大學功率半導體器件與功率集成電路研究室從事MOSFET、IGBT、FRD等新型功率半導體器件研究，期間2007年-2008年應邀到香港科技大學做訪學，進行內透明集電區IGBT的合作研究。

目前主要研究方向為功率半導體器件與功率集成電路，近幾年參加過多項國家、省部級、市級項目研究，發表學術論文20余篇，其中半數以上被SCI、EI、ISTP檢索。

目前在研項目：

國家自然科學基金面上項目：內透明集電區IGBT——一類新結構IGBT

與企業合作橫向項目：智能功率模塊研究；功率快恢復二極管FRD研制。

目前主講課程：《專業概論》（面向本科生），《功率集成電路》（面向研究生）

Email：hudongqing@bjut.edu.cn