综合二区_99re99_成人一级片视频_日本久久久久久_毛片免费看_日韩免费网站

真題答案

考研時訊

招考指南

院校招生

錄取調劑

專業碩士

公共課

專業課

考試大綱

資源共享

我的考研

網絡課程

中國考研網考研網 » 考研信息 » 院校信息 » 導師信息 » 北京航空航天大..

北京航空航天大學物理科學與核能工程學院凝聚態物理導師介紹：黃安平

導師信息來源：中國考研網 2015-06-07　相關院校：北京航空航天大學

導師詳細信息

姓名：黃安平

性別：男

出生年份：1974

職稱：教授

院系：物理科學與核能工程學院

首次聘任導師時間：2013

現聘任導師一級學科名稱：物理學

現聘任導師二級學科名稱：凝聚態物理

聘任在第二學科培養博士生專業名稱：無

聘任在自主設置學科培養博士生專業名稱：無

主要研究方向及特色：1.半導體薄膜與器件物理，2.信息功能材料與仿生智能器件，3.半導體材料表面改性與生物物理

電子信箱：aphuang@buaa.edu.cn

辦公電話：010-82338779

辦公地點：主樓436

通信地址：北京航空航天大學物理系

個人簡介：

黃安平：男，安徽安慶人，博士，教授，博士生導師，美國Stanford大學電子工程系訪問學者，2008年度教育部新世紀優秀人才，北京航空航天大學“我愛我師”十佳教師（2011年），連續榮獲北京航空航天大學優秀研究生指導教師稱號（2011年、2010年），擔任3rd IEEE International Nano Electronics Conference (INEC-2010)納米電子學分會主席等。長期從事新型半導體薄膜物理與器件研究，在電子薄膜材料的合成制備、物性分析與電子器件的性能研究等方面積累了一定的工作經驗。目前承擔兩門北京市精品課程的教學工作，已發表SCI檢索學術論文50余篇，英文論著(Book Chapter)2篇，國際會議論文11篇，國際會議大會邀請報告多次。部分研究成果被全球最大的專業電信咨詢公司之一Frost & Sullivan公司在其"Technical Insights"網站上以“新技術亮點”為題專門撰文評述。

教學、人才培養及科研項目情況：

現講授本科生《大學物理學》等課程。主持承擔的科研項目主要有國家自然科學基金、教育部新世紀人才基金、教育部博士點基金、藍天新秀基金等。目前正主持承擔國家自然科學基金面上項目2項，現有研究生5名，已畢業研究生2人，均獲得了北京航空航天大學優秀研究生（校級）榮譽稱號，連續榮獲北京航空航天大學優秀研究生指導教師稱號。

每年擬招收博士研究生1-2人，碩士研究生2-3人。

熱誠歡迎有志于從事半導體薄膜與仿生智能器件相關研究的同學加入我們的團隊。

研究方向：

現主要從事半導體薄膜與器件物理，信息功能材料與仿生智能器件，半導體材料表面改性與生物物理等方面的研究工作。

部分研究成果（Selected）：

1. X. H. Zheng, A. P. Huang*, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, M. Wang, Z. W. Wu, and Paul K. Chu, Diffusion Behavior of Dual Capping Layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si Stack, Applied Physics Letters 99 (2011) 131914;

2. A. P. Huang*, X. H. Zheng, Z. S. Xiao, Z. C. Yang, M. Wang, and Paul K. Chu Flat Band Voltage Shift in P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors, Chinese Physics B 20 (2011) 097303;

3. Z. C. Yang, A. P. Huang*, X. H. Zheng, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, X. W. Zhang, Paul K. Chu and W. W. Wang, Fermi-level pinning at metal/high-k interface influenced by electron state density of metal gate: IEEE Electron Device Letters 31 (2010) 1101-1103;

4. X. H. Zheng, A. P. Huang*, Z. S. Xiao, Z. C. Yang, M. Wang, X. W. Zhang, W. W. Wang and Paul K. Chu, Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin SiO2/Si pMOS stacks: Applied Physics Letters 97 (2010) 132908;

5. Z. C. Yang, A. P. Huang*, L. Yan, Z. S. Xiao, X. W. Zhang, Paul K. Chu and W. W. Wang, Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation: Applied Physics Letters 94 (2009) 252905;

6. A. P. Huang, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, L. Wang and P. K. Chu, Role of fluorine in plasma nitridated ZrO2 thin films under irradiation, Applied Physics Letters, 93 (2008) 122907-1–122907-3；

7. A. P. Huang and P. K. Chu, Interfacial Compound Suppression and Dielectric Properties Enhancement of F-N-codoped ZrO2 Thin Films, Applied Physics Letters, 90 (2007) 082906-1–082906-3；

8. A. P. Huang, Paul K. Chu and X. L. Wu, Enhanced Electron Field Emission from Oriented Columnar AlN and Mechanism, Applied Physics Letters, 88(2006) 251103-1-251103-3；

9. A. P. Huang, S. L. Xu, M. K. Zhu, B. Wang, H. Yan and T Liu, Crystallization control of sputtered Ta2O5 thin films by substrate bias, Applied Physics Letters, 83 (2003) 3278-3280；

10. A. P. Huang, L. Wang, J. B. Xu and P. K. Chu, Plasma Nitridated High-k Polycrystalline Induced by Electron Irradiation, Nanotechnology, 17 (2006) 4379-4383；

11. A. P. Huang and P. K. Chu, Improvement of Interfacial and Dielectric Properties of Sputtered Ta2O5 Thin Films by Substrate Biasing and the Underlying Mechanism, Journal of Applied Physics, 97 (2005) 114106-1–114106-5；

12. A. P. Huang, S. L. Xu, M. K. Zhu, G.H. Li, T. Liu, B. Wang, and H. Yan “Oriented growth of Ta2O5 films induced by substrate bias” Journal of Crystal Growth 2003, 255: 145~149;

13. A. P. Huang, G. J. Wang, S.L. Xu, M. K. Zhu, G. H. Li, B. Wang, H. Yan “Oriented AlN films prepared with solid AlCl3 source by bias assisted Cat-CVD” Materials Science and Engineering B 2004, 107:161~165;

14. A. P. Huang, and Paul K. Chu “Crystallization Improvement of Ta2O5 Thin Films by Addition of Water Vapor” Journal of Crystal Growth 2005, 274: 73~77;

15. A. P. Huang, Paul K. Chu, H. Yan, and M. K. Zhu “Dielectric Properties Enhancement of ZrO2 Thin Films Induced by Substrate Biasing” J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23(2): 566~569;

16. A. P. Huang, Ricky K. Y. Fu, Paul K. Chu，L. Wang, W. Y. Cheung, J. B. Xu, and S. P. Wong “Plasma Nitridation and Microstructure of High-k ZrO2 Thin Films Fabricated by Cathodic Arc Deposition” J. Crystal Growth 2005, 277: 422~427;

17. A. P. Huang, and Paul K. Chu “Microstructural Improvement of Sputtered ZrO2 Thin Films by Substrate biasing” Materials Science and Engineering B 2005, 121(3): 244~247;

18. A. P. Huang, and Paul K. Chu “Characteristics of Interface between Ta2O5 Thin Film and Si (100) Substrate” Surface and Coatings Technology 2005, 200: 1714~1718;

19. A. P. Huang, Paul K. Chu L. Wang, W. Y. Cheung, J. B. Xu, and S. P. Wong “Fabrication of Rutile TiO2 Thin Films by Low-Temperature, Bias-Assisted Cathodic Arc Deposition and Their Dielectric Properties” J. Mater. Res. 2006, 21(4):

20. A. P. Huang, Z. F. Di, Paul K. Chu “Microstructure and Visible-Photoluminescence of Titanium Dioxide Thin Films Fabricated by Dual Cathodic Arc and Nitrogen Plasma Deposition” Surface and Coatings Technology 2007, 201: 4897~4900;

21. A. P. Huang, Z. F. Di, Ricky K. Y. Fu, Paul K. Chu “Improvement of Interfacial and Microstructure Properties of High-k ZrO2 Thin Films Fabricated by Filtered Cathodic Arc Deposition Using Nitrogen Incorporation” Surface and Coatings Technology 2007, 201:8282-8285;

22. A. P. Huang and P. K. Chu, “Thermal Stability and Electrical Properties of High-k Gate Dielectric Materials”, Proceedings 6th International Workshop on Junction Technology (IWJT), Paper 5.4, 2006: 214~ 219(Invited talk).